三星電子

繼英特爾與台積電之後，美國商務部周一（4/15）宣布，已與三星電子（Samsung Electronics ）簽署初步備忘錄，基於《晶片與科學法案》（Chips and Science Act，CHIPS Act）補助三星64億美元以於美國生產晶片。

根據雙方的協議，未來幾年三星將投入至少400億美元以於美國建立半導體工廠聚落，包括在德州泰勒興建先進製造生態體系，將包含兩家專注於大規模生產4奈米及2奈米製造技術的代工廠，一家致力於研發先進節點技術的工廠，以及一家導入AI應用以生產3D高頻寬記憶體與2.5D封裝的封裝廠，在此一聚落所設計及生產的半導體將供應通訊、汽車、國防、高效能運算以及AI應用。

另也包括三星承諾要擴建位於德州奧斯汀的現有設施，發展全空乏絕緣上覆矽（fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI）製程技術，以支持美國的航太、國防及汽車等關鍵領域。

雙方預計相關的投資將替美國在未來5年內，創造逾1.7萬個建築工作機會，以及4,500個高薪的製造業職缺。

CHIPS Act的目標之一，是讓美國在2030年的先進晶片生產能力達到全球的20%。在CHIPS Act對全球主要代工廠的補助中，英特爾拿到85億美元的補助與110億美元的聯邦貸款，台積電拿到66億美元的補助與50億美元的貸款，而三星則是取得64億美元的補助。另一方面，在取得美國補助後，英特爾承諾要在美國投資超過1,000億美元，台積電為650億美元，三星則是400億美元。